Roumaissa Derbal2024-02-132024-02-132022https://dspace.univ-soukahras.dz/handle/123456789/3517We have represented a nanotransistor CNTFET. The transistor has a symmetrical structure of energy band between the conduction and the valence band which implies a matching contributions of electrons and holes in current transport between the drain and source electrodes. The working the principle of CNTET is to polarise severely the gate positively or negatively to facilitate the transport of electrons or holes. We have seen that the width and the length of the channel have a direct influence on the transport properties, where the best performances were observed for the largest widthes and shortest lengths. We have as well observed a direct effect of the gate oxide thickness and dielectric constant on the CNTFET characteristics where Ids was found to be larger for the thinnest oxide layer and highest dielectric permittivity. These obtained results enable us to optimise the physical parameters of the CNTFET to target the best performances of the nanodevice. ----------------------------------------------------------------------------------------- لقد مثلنا الترانزستور النانوي CNTFET. يحتوي الترانزستور على بنية متناظرة من نطاق الطاقة بين التوصيل ونطاق التكافؤ مما يعني وجود مساهمات مطابقة للإلكترونات والثقوب في النقل الحالي بين أقطاب التصريف والمصدر. مبدأ عمل CNTET هو استقطاب البوابة بشدة إيجابًا أو سلبًا لتسهيل نقل الإلكترونات أو الثقوب. لقد رأينا أن عرض القناة وطولها لهما تأثير مباشر على خصائص النقل ، حيث لوحظ أفضل أداء لأكبر عرض وأقصر أطوال. لقد لاحظنا أيضًا تأثيرًا مباشرًا لسمك أكسيد البوابة وثابت العزل الكهربائي على خصائص CNTFET حيث تم العثور على معرفات أكبر بالنسبة لطبقة أكسيد نحيفة وأعلى سماحية عازلة. تمكننا هذه النتائج التي تم الحصول عليها من تحسين المعلمات المادية ل CNTFET لاستهداف أفضل أداء للجهاز النانوي --------------------------------------------------------------------------------------- Nous avons représenté un nanotransistor CNTFET. Le transistor a une structure symétrique de bande d'énergie entre la bande de conduction et la bande de valence ce qui implique une adaptation des contributions des électrons et des trous dans le transport du courant entre les électrodes de drain et de source. Le principe de fonctionnement du CNTET est de polariser sévèrement la grille positivement ou négativement pour faciliter le transport des électrons ou des trous. Nous avons vu que la largeur et la longueur du canal ont une influence directe sur les propriétés de transport, où les meilleures performances ont été observées pour les plus grandes largeurs et les plus petites longueurs. Nous avons également observé un effet direct de l'épaisseur de l'oxyde de grille et de la constante diélectrique sur les caractéristiques du CNTFET où Ids s'est avéré plus grand pour la couche d'oxyde la plus mince et la permittivité diélectrique la plus élevée. Ces résultats obtenus nous permettent d'optimiser les paramètres physiques du CNTFET pour viser les meilleures performances du nanodispositif.frThesis