EFFET DE LA NATURE DES SUBSTRATS SUR LE RENDEMENT ENERGETYQUE DES CIRCUITS INTEGRES

Abstract

The rapid development of digital technologies has led to a revolution in the world of electronics, where the world is now racing to reduce the size, weight, and manufacturing cost of electronic devices to facilitate human life in various fields. To achieve this with minimal losses, researchers have adopted simulation methods. Among these methods is the iterative WCIP method, which relies on the concept of the electromagnetic wave. We used this method in our work to study the power production of integrated circuits containing CNTFET transistors, aiming to find the most suitable carrier in terms of efficiency for this type of transistor. -------------------------------------------------------------------------------------- أدى التطور السريع للتقنيات الرقمية لحدوث ثورة في عالم الالكترونيات حيث يتسابق العالم الان الى تقليل كتلة وابعاد الاجهزة الالكترونية وتكلفة صناعتها من اجل تسهيل حياة الانسان في مختلف المجالات. لتحقيق ذلك وبأقل الخسائر تبنى الباحثون طرق للمحاكاة. منها الطريقة التكرارية WCIP التي تعتمد على مفهوم الموجة الكهرومغناطيسية التي استخدمناها في هذا العمل لدراسة الإنتاج الطاقوي للدارات المتكاملة التي تحتوي على CNTFET ترانزستور لإيجاد الحامل الأنسب من حيث المردود لهذا النوع من ترانزستور ------------------------------------------------------------------------------------- Le développement rapide des technologies numériques a conduit à une révolution dans le monde de l'électronique, où le monde entier s'efforce désormais de réduire la taille, le poids et le coût de fabrication des appareils électroniques afin de faciliter la vie des êtres humains dans divers domaines. Pour y parvenir avec des pertes minimales, les chercheurs ont adopté des méthodes de simulation. Parmi ces méthodes, on trouve la méthode itérative WCIP, qui repose sur le concept de l'onde électromagnétique. Nous avons utilisé cette méthode dans ce travail pour étudier la production énergétique des circuits intégrés contenant des transistors CNTFET, dans le but de trouver le support le plus approprié en termes de rendement pour ce type de transistor.