INFLUENCE DES PARAMETRES GEOMETRIQUES ET PHYSIQUES SUR LA RESISTANCE TOTALE DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A NANOFILS NWFET

Abstract

This thesis investigates the effect of physical and geometrical parameters on the resistance of nanowire field-effect transistorsNWFET. This type of transistor was carefully selected for simulation due to its importance as a product of the evolution of transistor technology and the incorporation of nanowires in its fabrication. Using Matlab software, the influence of geometric dimensions and physical characteristics on the device performance was evaluated. It is found that the best performance of nanowire transistors is achieved when the nanowire length L is short and its thickness W is large, in addition to enhancing the oxide capacitance C_ox, maintaining high V_gs voltage and high kinetics μ, which directly and effectively contributes to lowering the resistance R. ------------------------------------------------------------------------------ تبحث هذه الأطروحة تأثير المعاملات الفيزيائية والهندسية على مقاومة ترانزستورات الأسلاك النانويةذات التأثير الميداني NWFET. تم اختيار هذا النوع من الترانزستور بعناية للمحاكاة نظرًا لأهميته كنتاج لتطور تكنولوجيا الترانزستور ودمج الأسلاك النانوية في تصنيعه. باستخدام برنامج Matlab، تم تقييم تأثيرالأبعاد الهندسية والخصائص الفيزيائية على أداء الجهاز. تم التوصل إلى أن أفضل تصميم لترانزستورات الأسلاك النانوية يتحقق عندما يكون طول الأسلاك النانوية L قصير وسمكها Wكبير، بالإضافة إلى تعزيز سعة الأكسيد C_oxوالحفاظ جهدV_gs مرتفعوحركية عالية μ ، مما يسهم بشكل مباشر وفعّال في خفض المقاومة الكلية R . ------------------------------------------------------------------------------ Cette thèse étudie l'effet des paramètres physiques et géométriques sur la résistance des transistors à effet de champ à nanofils NWFET. Ce type de transistor a été soigneusement sélectionné pour la simulation en raison de son importance en tant que produit de l'évolution de la technologie des transistors et de l'incorporation de nanofils dans sa fabrication. Le logiciel Matlab a permis d'évaluer l'influence des dimensions géométriques et des caractéristiques physiques sur les performances du dispositif. On constate que la meilleure conception des transistors à nanofils est obtenue lorsque la longueur L du nanofil est courte et que son épaisseur W est grande, en plus d'améliorer la capacité d’oxydeC_ox, de maintenir une tension V_gs et une mobilité μ élevées, ce qui contribue directement et efficacement à abaisser la résistanceR.